标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1160pF @ 10V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate, 1.8V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1160pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 16nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3