标准包装 1
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 34mA
Rds(最大)@ ID,VGS 500 Ohm @ 16mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.1V @ 8μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 150nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 6pF @ 25V
功率 - 最大 1.39W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Cut Tape (CT)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 34mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4.1V @ 8μA
供应商设备封装 SOT-23
其他名称 785-1458-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 500 Ohm @ 16mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.39W
标准包装 3,000
漏极至源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss ) @ VDS 6pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 150nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant