标准包装 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 7A
Rds(最大)@ ID,VGS 20 mOhm @ 7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1160pF @ 10V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TSSOP (0.173", 4.40mm 宽度 )
供应商器件封装 8-TSSOP