标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 32A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.2 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 49nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2010pF @ 15V
功率 - 最大 4.2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装 8-DFN-EP (5x6)