标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 43A
Rds(最大)@ ID,VGS 24 mOhm @ 20A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2200pF @ 50V
功率 - 最大 100W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 43A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-252, (D-Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 24 mOhm @ 20A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 100W
标准包装 2,500
输入电容(Ciss ) @ VDS 2200pF @ 50V
其他名称 785-1215-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63