标准包装 2,500
配置 High and Low Side, Independent
Input 型 Non-Inverting
延迟时间 160ns
电流 - 峰值 210mA
配置数 1
输出数 2
高压侧电压 - 马克斯（引导） 600V
- 电源电压 10 V ~ 20 V
操作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC
驱动器类型 High and Low Side
驱动程序配置 Non-Inverting
输出数 2
最大工作电源电压 20 V
最低工作电源电压 10 V
峰值输出电流 0.36(Typ) A
最大功率耗散 625 mW
输入逻辑相容性 CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V|15V
最大上升时间 170 ns
最大开启延迟时间 50 ns
最大下降时间 90 ns
最大电源电流 0.27 mA
工作温度 -40 to 125 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
安装类型 Surface Mount
配置数 1
供应商设备封装 8-SOIC N
封装 Tape & Reel (TR)
电压 - 电源 10 V ~ 20 V
输入类型 Non-Inverting
高端电压 - 最大值（自启动） 600V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
配置 High and Low Side, Independent
电流 - 峰值 210mA
延迟时间 160ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IR2101SPBFDKR
工厂包装数量 2500
类型 High Side/Low Side
最大关闭延迟时间 220 ns
下降时间 50 ns
产品 MOSFET Gate Drivers
最高工作温度 + 125 C
电源电压 - 最大 20 V
电源电压 - 最小 10 V
RoHS RoHS Compliant
输出电流 0.36 A
驱动器数 2
安装风格 SMD/SMT
输出电压 10 V to 20 V
最低工作温度 - 40 C
上升时间 100 ns
电源电流 30 uA
输入逻辑电平 CMOS/LSTTL
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 SOIC
引脚数 8
启动时间（最大值） 50 us
传播延迟时间 220 ns
工作温度分类 Automotive
关断延迟时间 50 ms
弧度硬化 No
工作电源电压（最小值） 10 V
工作电源电压（最大值） 20 V
设备类型 :IGBT, MOSFET
Module Configuration :High and Low Side
Supply Voltage Min :10V
Supply Voltage Max :20V
Driver Case Style :SOIC
No. of Pins :8
Input Delay :160ns
Output Delay :150ns
Operating Temperature Min :-40°C
Operating Temperature Max :125°C
MSL :MSL 2 - 1 year
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg) 2.27