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1-9 ¥1.00 10-29 ¥0.58 30-99 ¥0.54 100以上 ¥0.50
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):448pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC |