DMP2035U-7特性，参数，图片 DMP2035U-7中文元件说明书
发布时间：2019/1/11
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 35 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 15.4nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1610pF @ 10V
功率 - 最大 810mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.6 A
RDS -于 35@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 16.8 ns
典型上升时间 12.4 ns
典型关闭延迟时间 94.1 ns
典型下降时间 42.4 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.3
PCB 3
筛选等级 Commercial
最大功率耗散 810
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 35@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
包装高度 1
最大连续漏极电流 3.6
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.81W
匹配代码 DMP2035U
单位包 3000
标准的提前期 11 weeks
最小起订量 3000
极化 P-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 3.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.03Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 35 mOhm @ 4A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 810mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1610pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 15.4nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMP2035U-7DICT
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 - 3.6 A
正向跨导 - 闵 14 S
RDS（ON） 23 mOhms
功率耗散 0.81 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23-3
栅极电荷Qg 15.4 nC
上升时间 12.4 nS
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 42.4 ns
漏极电流（最大值） 3.6 A
栅源电压（最大值） 8 V
漏源导通电阻 0.035 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 20 V
弧度硬化 No
频率（最大） Not Required MHz
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏极效率 Not Required %
功率增益 Not Required dB
