BCW68GLT1G特性，参数，图片 BCW68GLT1G中文元件说明书
发布时间：2018/12/28
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 800mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 1.5V @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止（最大） 20nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 120 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 225mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 0.8 A
最小直流电流增益 120@10mA@1V|160@100mA@1V|60@300mA@1V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 1.5@30mA@300mA V
最大集电极基极电压 60 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
安装 Surface Mount
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标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 45
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 800mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 1.5V @ 30mA, 300mA
电流 - 集电极截止（最大） 20nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 120 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BCW68GLT1GOSCT
类别 General Purpose
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm
身高 1.11mm
长度 3.04mm
最大的基射极饱和电压 -2 V dc
最大基地发射极电压 -5 V dc
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
宽度 2.64mm
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 - 1.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 120 at 10 mA at 1 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 60 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 0.8 A
集电极电流（ DC）（最大值） 0.8 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率（最大） 100 MHz
功率耗散 0.3 W
工作温度范围 -55C to 150C
元件数 1
直流电流增益（最小值） 120
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 100 MHz
直流电流增益 120
集电极电流（DC ） 0.8 A
