CY14B101L-SZ35XI
厂商名称： Cypress Semiconductor Corp.
CY14B101L-SZ35XI元件分类： 存储器
CY14B101L-SZ35XI中文描述：
128K × 8 非易失性存储器, 35 ns, PDSO32
CY14B101L-SZ35XI英文描述：
128K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 35 ns, PDSO32
功能数量1
CY14B101L-SZ35XI端子数量32
CY14B101L-SZ35XI最大工作温度85 Cel
CY14B101L-SZ35XI最小工作温度-40 Cel
CY14B101L-SZ35XI最大供电/工作电压3.6 V
CY14B101L-SZ35XI最小供电/工作电压2.7 V
CY14B101L-SZ35XI额定供电电压3 V
CY14B101L-SZ35XI最大存取时间35 ns
CY14B101L-SZ35XI加工封装描述0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
CY14B101L-SZ35XI无铅Yes
CY14B101L-SZ35XI欧盟RoHS规范Yes
CY14B101L-SZ35XI中国RoHS规范Yes
CY14B101L-SZ35XI状态DISCONTINUED
CY14B101L-SZ35XI工艺CMOS
CY14B101L-SZ35XI包装形状矩形的
CY14B101L-SZ35XI包装尺寸SMALL OUTLINE
CY14B101L-SZ35XI表面贴装Yes
CY14B101L-SZ35XI端子形式GULL WING
CY14B101L-SZ35XI端子间距1.27 mm
CY14B101L-SZ35XI端子涂层MATTE 锡
CY14B101L-SZ35XI端子位置双
CY14B101L-SZ35XI包装材料塑料/环氧树脂
CY14B101L-SZ35XI温度等级INDUSTRIAL
CY14B101L-SZ35XI内存宽度8
CY14B101L-SZ35XI组织128K × 8
CY14B101L-SZ35XI存储密度1.05E6 deg
CY14B101L-SZ35XI操作模式ASYNCHRONOUS
CY14B101L-SZ35XI位数131072 words
CY14B101L-SZ35XI位数128K
CY14B101L-SZ35XI内存IC类型非易失性存储器
CY14B101L-SZ35XI串行并行并行
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