AO3415特性，参数，图片 AO3415 中文元件说明书
发布时间：2019/1/10
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 4A
Rds（最大）@ ID，VGS 43 mOhm @ 4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 17.2nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1450pF @ 10V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-23
包装高度 1
安装 Surface Mount
最大功率耗散 1500
渠道类型 P
最大漏源电阻 41@4.5V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
包装宽度 1.6
供应商封装形式 SOT-23
包装长度 2.9
PCB 3
最大连续漏极电流 4
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate, 1.8V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 4A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3
其他名称 785-1010-2
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 43 mOhm @ 4A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
标准包装 3,000
漏极至源极电压（Vdss） 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1450pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS 17.2nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
