BD136-16特性，参数，图片 BD136-16中文元件说明书
发布时间：2018/12/4
标准包装 50
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 40 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 1.25W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 SOT-32
包装材料 Tube
包装 3SOT-32
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 1.5 A
最小直流电流增益 100@150mA@2V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@0.05A@0.5A V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 1250 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
P（ TOT ） 12.5W
匹配代码 BD136-16
I（C ） 1.5A
V（ CEO ） 45V
单位包 50
标准的提前期 12 weeks
最小起订量 50
极化 PNP
无铅Defin RoHS-conform
电流增益 250
V（ CBO ） 45V
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 1.5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 45V
供应商设备封装 SOT-32
封装 Tube
功率 - 最大 1.25W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 40 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Bipolar Power
配置 Single
外形尺寸 10.8 x 7.8 x 2.7mm
身高 10.8mm
长度 7.8mm
最大集电极基极电压 45 V
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 SOT-32
宽度 2.7mm
工厂包装数量 2000
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 150 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 45 V
RoHS RoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值） 1.5 A
集电极 - 基极电压 45 V
集电极 - 发射极电压 45 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 1.25 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益（最小值） 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 100
集电极电流（DC ） 1.5 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :45V
功耗 :1.25W
DC Collector Current :1.5A
DC Current Gain hFE :40
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-32
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :500mV
连续集电极电流Ic最大 :1.5A
Current Ic Continuous a Max :1.5A
Current Ic hFE :150mA
Full Power Rating Temperature :25°C
Hfe Min :100
No. of Transistors :1
Power Dissipation Ptot Max :1.25W
端接类型 :SMD
Voltage Vcbo :60V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
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