IRFR5505TRPBF特性，参数，图片 IRFR5505中文元件说明书
发布时间：2018/12/3
高度 2.39mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 6.73mm
典型输入电容值@Vds 650 pF@ 25 V
系列 HEXFET
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 110 mΩ
最大栅阈值电压 4V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 57 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 6.22mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
最小栅阈值电压 2V
最大漏源电压 55 V
典型接通延迟时间 12 ns
典型关断延迟时间 20 ns
封装类型 DPAK
最大连续漏极电流 18 A
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 32 nC @ 10 V
工厂包装数量 2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 55 V
晶体管极性 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 4 V
宽度 6.22 mm
Qg - Gate Charge 32 nC
封装/外壳 TO-252-3
类型 HEXFET Power MOSFET
下降时间 16 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 P-Channel
正向跨导 - 闵 4.2 S
Id - Continuous Drain Current - 18 A
长度 6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 110 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 20 ns
通道模式 Enhancement
身高 2.3 mm
封装 Reel
典型导通延迟时间 12 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 57 W
上升时间 28 ns
技术 Si
