IRF450特性，参数，图片 IRF450中文元件说明书
发布时间：2018/11/1
标准包装 100
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 12A
Rds（最大）@ ID，VGS 500 mOhm @ 12A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 120nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 2700pF @ 25V
功率 - 最大 150W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-204AA, TO-3
供应商器件封装 TO-204AA (TO-3)
包装材料 Tube
包装 3TO-3
.JPG)
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 12 A
RDS -于 500@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 35 ns
典型上升时间 190 ns
典型关闭延迟时间 170 ns
典型下降时间 130 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±20
包装宽度 25.53(Max)
PCB 2
最大功率耗散 150000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最大漏源电阻 500@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-3
标准包装名称 TO-204-AA
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 39.37(Max)
引脚数 3
包装高度 7.74(Max)
最大连续漏极电流 12
标签 Tab
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 12A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 500V
供应商设备封装 TO-204AA (TO-3)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 500 mOhm @ 12A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 150W
封装/外壳 TO-204AA, TO-3
输入电容（Ciss ） @ VDS 2700pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 120nC @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
漏极电流（最大值） 12 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） 20 V
输出功率（最大） Not Required W
功率耗散 150 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.5 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-3
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 500 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 12 A
删除 Not Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :12A
Drain Source Voltage Vds :500V
On Resistance Rds(on) :400mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :150W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-204AA
No. of Pins :2
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :12A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :4V
Weight (kg) 0.009
Tariff No. 85412900
