IRFL110TRPBF特性，参数，图片 IRFL110TR中文元件说明书
发布时间：2018/10/30
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 540 mOhm @ 900mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 8.3nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 180pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 1.5 A
RDS -于 540@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 6.9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型下降时间 9.4 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 540@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.7(Max)
引脚数 4
包装高度 1.8(Max) - 0.06
最大连续漏极电流 1.5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 3.1W
匹配代码 IRFL110TRPBF
单位包 2500
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 2500
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 1.5A
V（ DS ） 100V
R（ DS上） 0.54Ohm
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-223
其他名称 IRFL110PBFTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 540 mOhm @ 900mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
漏极至源极电压（Vdss） 100V
输入电容（Ciss ） @ VDS 180pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 8.3nC @ 10V
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Dual Drain
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 1.5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 540 mOhms
功率耗散 2 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-223
上升时间 16 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 9.4 ns
漏极电流（最大值） 1.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） 20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.54 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 100 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Compliant
associated IRFL110TRPBF
