FDA16N50特性，参数，图片 FDA16N50中文元件说明书
发布时间：2018/10/29
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 16.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 380 mOhm @ 8.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 45nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1945pF @ 25V
功率 - 最大 205W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
包装材料 Tube
最大门源电压 ±30
安装 Through Hole
包装宽度 4.8
PCB 3
最大功率耗散 205000
最大漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 380@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-3P
标准包装名称 TO-3P
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 15.6
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 19.9
最大连续漏极电流 16.5
封装 Rail
标签 Tab
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 16.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 5V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 500V
标准包装 30
供应商设备封装 TO-3P
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 380 mOhm @ 8.3A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 205W
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
输入电容（Ciss ） @ VDS 1945pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 45nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
