NTMFS5C628NLT1G特性，参数，图片 NTMFS5C628NLT1G中文元件说明书
发布时间：2018/10/24
高度 1.05mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 5.1mm
典型输入电容值@Vds 3600 pF @ 25 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 3.3 mΩ
通道类型 N
最高工作温度 +175 °C
引脚数目 5
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 110 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 6.1mm
尺寸 5.1 x 6.1 x 1.05mm
正向二极管电压 1.2V
最小栅阈值电压 1.2V
最大漏源电压 60 V
典型接通延迟时间 15 ns
典型关断延迟时间 28 ns
封装类型 DFN
最大连续漏极电流 150 A
最大栅阈值电压 2V
正向跨导 110s
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 52 nC @ 10 V
工厂包装数量 1500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 SO-FL-8
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 52 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 70 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 ON Semiconductor
通道数 1 Channel
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 150 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3.3 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 28 ns
通道模式 Enhancement
封装 Reel
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 110 W
上升时间 150 ns
技术 Si
