NSV1C201MZ4T1G特性，参数，图片 NSV1C201MZ4T1G中文元件说明书
发布时间：2018/10/23
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 *
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 180mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大） 100nA (ICBO)
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 100V
供应商设备封装 *
封装 *
功率 - 最大 800mW
封装/外壳 *
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 120 @ 500mA, 2V
集电极 - 发射极饱和电压 0.18 V
直流电流增益hFE最大值 360
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 7 V
工厂包装数量 1000
系列 NSS1C201MZ4
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 800 mW
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 100 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 140 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 2 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 2 A
