HGTG30N60A4D特性，参数，图片 HGTG30N60A4D中文元件说明书
发布时间：2018/9/29
标准包装 150
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600V
蒸气云爆炸（上）（最大值）”的发展，集成电路 2.6V @ 15V, 30A
集电极电流（Ic）（最大） 75A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 240A
功率 - 最大 463W
Switching 能源 280μJ (on), 240μJ (off)
输入 型 Standard
栅极电荷 225nC
Td（开/关）@ 25°C 25ns/150ns
测试条件 390V, 30A, 3 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） 30ns
包装材料 Tube
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-247AD
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17403?mpart=HGTG30N60A4D&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 75 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 75
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.82
标准包装名称 TO-247
包装高度 20.82(Max)
最大功率耗散 463000
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 15.87(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 225nC
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 75A
安装类型 Through Hole
开关能量 280μJ (on), 240μJ (off)
时间Td（开/关） @ 25°C 25ns/150ns
Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 2.6V @ 15V, 30A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600V
供应商设备封装 TO-247AD
反向恢复时间（trr ） 30ns
功率 - 最大 463W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
测试条件 390V, 30A, 3 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲（ ICM ） 240A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm
身高 20.82mm
长度 15.87mm
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-247
宽度 4.82mm
工厂包装数量 150
集电极 - 发射极饱和电压 1.8 V
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 250 nA
连续集电极电流Ic最大 75 A
系列 HGTG30
连续集电极电流在25 C 75 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
单位重量 0.225401 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 463 W
零件号别名 HGTG30N60A4D_NL
RoHS RoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值） 75 A
集电极 - 发射极电压 600 V
工作温度（最大） 150C
工作温度（最小值） -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) 20 V
弧度硬化 No
集电极电流（DC ） 75 A
晶体管类型 :IGBT
DC Collector Current :75A
Collector Emitter Voltage Vces :2.6V
功耗 :463W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :600V
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-247
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style :SOT-249
Current Ic Continuous a Max :75A
Current Temperature :25°C
Device Marking :HGTG30N60A4D
Fall Time Typ :38ns
Fall Time tf :38ns
Full Power Rating Temperature :25°C
No. of Transistors :1
工作温度范围 :-55°C to +150°C
引脚配置 :With flywheel diode
Power Dissipation Max :463W
Pulsed Current Icm :240A
上升时间 :12s
晶体管极性 :N Channel
Voltage Vces :600V
Weight (kg) 0.006
Tariff No. 85412900
associated 6396BG
FK 243 MI 247 O
FK 243 MI 247 H
SK 145/25 STS-220
TSC506-ZP
MK3311
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